ビジネスに特化したクオリティの高いセミナーや研修が見つかる!
会員登録をしてセミナーに申し込むとさまざまな特典が受けられます
トップページ  インデックス検索  技術・研究  エレクトロニクス  酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と 実用化に向けた開発動向

開催日 2019/04/18 (木) 開催地 東京都

  • 飲み物
  • 食事

~期待を集めるGa2O3デバイスの基礎から開発事例、課題・展望を解説~

酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と 実用化に向けた開発動向

主催 サイエンス&テクノロジー株式会社 講師 東脇 正高 氏 &nbs... 受講料 48,600円   

このセミナーをチェックリストに追加する  セミナーの受付は終了しました
酸化ガリウムパワー半導体の第一人者と実用化に向けた取り組みを加速する気鋭の企業が解説!
材料の基礎から、トランジスタ、ショットキーバリアダイオードなどパワーデバイス開発の状況、課題と展望まで。

第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向、課題と展望
本講演では、Ga2O3パワーデバイスの位置づけ・魅力、現在までのバルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)の研究開発状況、今後に向けた課題および展望などについて、講師グループおよび講師共同研究グループの開発成果を中心に解説いたします。

第2部 酸化ガリウムパワーデバイス製品開発の取り組みと展望
 酸化ガリウム(Ga2O3)は、約5eVにも及ぶ広いバンドギャップを持つ半導体であり、超低損失パワーデバイスへの応用が期待できる魅力的な新材料である。また、低コスト化への取り組みも進んでおり、次世代パワーデバイスの本命材料と見られつつある。
 本講演ではFLOSFIAと京都大学がこれまで行ってきた取り組みや最新のデバイスデータについて発表する。

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・Ga2O3物性の基礎知識
・バルク・基板、エピタキシャル薄膜成長、デバイス(トランジスタ、ショットキーバリアダイオード)などの各種要素技術開発の現状と今後に向けた課題等に関する情報

セミナーの対象者はこんな方です

本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能です。
開催日時 2019/04/18 (木)     11:00~ 16:20     (受付  10:30 ~ )

他の開催日・開催場所(同じ都道府県内)で探す    
申込み期間  ~ 2019/04/17
主催会社 サイエンス&テクノロジー株式会社
この主催会社の他の最新セミナーを見る    
定員 30名
受講料 48,600円
開講場所 ・会場名: 東京・港区浜松町 芝エクセレントビル B1F KCDホール
・住所: 〒105-0013 東京都港区浜松町2-1-13 芝エクセレントビル B1F 
・交通アクセス: 都営地下鉄 大江戸線・都営浅草線「大門駅」(A1出口)より徒歩2分
講師
東脇 正高 氏 講師写真

東脇 正高 氏

 (国研)情報通信研究機構 未来ICT研究所 グリーンICTデバイス先端開発センター センター長

井川 拓人 氏 講師写真

井川 拓人 氏

(株)FLOSFIA 営業部 部長

カリキュラム、
プログラム
第1部 酸化ガリウムパワーデバイスの基礎と開発動向、課題と展望

 1.はじめに
   1.1 Ga2O3の材料的特徴(SiC, GaNとの比較から)
   1.2 将来的なGa2O3デバイスの用途

 2.Ga2O3バルク融液成長技術、ウェハー製造
   2.1 単結晶バルク融液成長
   2.2 単結晶Ga2O3ウェハー

 3.Ga2O3エピタキシャル薄膜成長技術
   3.1 MBE成長
   3.2 HVPE成長

 4. Ga2O3トランジスタ開発
   4.1 横型MESFET
   4.2 横型DモードMOSFET
   4.3 横型フィールドプレートMOSFET
   4.4 横型EモードMOSFET
   4.5 縦型DモードMOSFET (CAVET)
   4.6 国内外他機関のGa2O3トランジスタ開発動向

 5. Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) 開発
   5.1 HVPE成長したドリフト層を有する縦型SBD
   5.2 縦型フィールドプレートSBD
   5.3 国内外他機関のGa2O3ダイオード開発動向

 6. まとめ、今後の課題

 □ 質疑応答 □


第2部 酸化ガリウムパワーデバイス製品開発の取り組みと展望
 
 1.FLOSFIA会社概要

 2.α-Ga2O3について

 3.パワーデバイスとしてのこれまでの成果と課題
   3.1 世界トップデータのオン損失
   3.2 スイッチング損失の低減
   3.3 熱抵抗低減への取り組み
   3.4 FETへの取り組み
   3.5 コスト競争力

 4. FLOSFIAのビジネスモデルと今後のマーケット

 5. ミストドライ法紹介

 6. まとめ

 □ 質疑応答 □
特典 セミナー資料付き。

食事付 食事付 飲み物付き 飲み物付き 
セミナー参加費
支払い方法
○ お支払方法

(1)銀行振込、または(2)当日会場での現金払い

 ※原則として受講料のご入金は、開催日までにお願いいたします。

 ※原則として銀行振込の場合、領収証の発行はいたしません。

 ※銀行振込の場合、手数料はご負担ください。



○ キャンセルについて

お申込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席も可能です。

やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定で承ります。

◇キャンセル規定◇

開催日から逆算(営業日:土日・祝祭日等を除く)いたしまして、

・開催7日前以
お知らせ ※各種割引特典がございます。

【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
  ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。


【アカデミー割引】
学生・教員および医療従事者は、1名につき10,800円/日
 (※他の割引との併用はできません。)

【お申込み時の注意】
 BC-Seminarからお申込みされますと、自動返信メールではシステム登録上、
定価が表示されますが、割引価格適用有無の確認のため、自動返信メールとは
別に必ずサイエンス&テクノロジーの事務担当から連絡を行います。
  • このセミナーについて質問する
  • このセミナーに申し込み

他にもこんなセミナーがあります

セミナーチェックリストを見る

会員なら色々な特典が受けられます
掲載の記事・写真・図表などの無断転載を禁止します。
著作権は株式会社ファシオまたはその情報提供者に属します。