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開催日 2019/07/24 (水) 開催地 東京都

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~最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで~

自動車の電動化に向けた、SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の最新状況と今後の動向

主催 サイエンス&テクノロジー株式会社 講師 岩室 憲幸 氏 受講料 48,600円   

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 近年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となっている。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車を飛び越えてEVシフトへ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体でEV開発がいよいよ本格化してきている。
 EVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。
 最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、市場予測を含め丁寧に解説する。

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、GaNパワーデバイスの最新動向!
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

<得られる知識、技術>
過去30年のパワーデバイス開発の流れとパワーデバイスの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体ならびにSiC/GaN市場予測。SiCデバイス実装技術。SiCデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナーの対象者はこんな方です

本テーマに興味のある方ならどなたでも受講可能です。
開催日時 2019/07/24 (水)     10:30~ 16:30     (受付  10:00 ~ )

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申込み期間  ~ 2019/07/23
主催会社 サイエンス&テクノロジー株式会社
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定員 30名
受講料 48,600円
開講場所 ・会場名: 東京・品川区大井町 きゅりあん 5F 第4講習室
・住所: 〒140-0011 東京都品川区東大井5-18-1 
・交通アクセス: 「大井町駅」(中央改札)より徒歩1分
講師
岩室 憲幸 氏 講師写真

岩室 憲幸 氏

筑波大学 数理物質系 教授 

カリキュラム、
プログラム
1.パワーエレクトロニクスとは?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 高周波化のメリット
 1.5 Si-MOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の今と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新しいコンセプトのIGBT(RC-IGBT)開発

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 SiCのSiに対する利点
 3.4 なぜ各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発するのか?
 3.5 SiC/GaNパワーデバイスの市場予測
 3.6 SiCウェハができるまで
 3.7 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.8 最近のSiC-MOSFETトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 SBD内蔵SiCトレンチMOSFET 

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaN-HEMTデバイスの特徴
 4.5 ノーマリ-オフ特性
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiC.vs.縦型GaNの行くえ

5.高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーデバイスの動作パターン
 5.4 パワーデバイス動作中の素子破壊例
 5.5 信頼性設計とシミュレーションの活用

6.まとめ

  □質疑応答・名刺交換□
特典 セミナー資料付き。

食事付 食事付 飲み物付き 飲み物付き 
セミナー参加費
支払い方法
○ お支払方法

(1)銀行振込、または(2)当日会場での現金払い

 ※原則として受講料のご入金は、開催日までにお願いいたします。

 ※原則として銀行振込の場合、領収証の発行はいたしません。

 ※銀行振込の場合、手数料はご負担ください。



○ キャンセルについて

お申込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご出席も可能です。

やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定で承ります。

◇キャンセル規定◇

開催日から逆算(営業日:土日・祝祭日等を除く)いたしまして、

・開催7日前以
お知らせ ※各種割引特典がございます。

【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の24,300円)】
  ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。


【アカデミー割引】
学生・教員および医療従事者は、1名につき10,800円/日
 (※他の割引との併用はできません。)

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