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開催日 2021/05/27 (木) 開催地 WEB配信型ライブセミナー

【Live配信(リアルタイム配信)】【出席者特典:アーカイブ付(5日間視聴OK)】

自動車の電動化に向けた、 SiCパワーデバイス・GaNパワーデバイス開発の 最新状況と今後の動向

主催 サイエンス&テクノロジー株式会社 講師 岩室 憲幸 氏 受講料 55,000円   

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“セミナーの出席者に限り”、特典としてアーカイブ(5日間視聴可能)も付いていますので、
繰り返しの視聴学習が可能です。
(※原則編集は行いません。3営業日以内を目途にZoomのURLまたは当社サイトのマイページからご視聴いただけます。)
本セミナーは、Zoomによる【Live配信受講:アーカイブ付】のみです。

■最新のSi-IGBT、SiC、GaN、高温対応実装技術まで■

★ パワー半導体市場予測から、自動車用途に向けたSiCパワーデバイス、
  GaNパワーデバイスの最新動向!
★ 過去30年を俯瞰し、シリコンパワー半導体からSiC/GaNの最新技術動向を解説!

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

 2020年現在、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVは、もはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。
 しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

<得られる知識・技術>
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、など。

セミナーの対象者はこんな方です

【ZoomによるLive配信】
 ・本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
 ・お申込み受理のご連絡メールに接続テスト用のURLが記されております。
  「Zoom」のインストールができるか、接続できるか等をご確認下さい。
 ・後日、別途視聴用のURLをメールにてご連絡申し上げます。
 ・セミナー開催日時に、視聴サイトにログインしていただき、ご視聴ください。
 ・リアルタイムで講師へのご質問も可能です。
  ・タブレットやスマートフォンでも視聴できます。
開催日時 2021/05/27 (木)     10:30~ 16:30     (受付  10:00 ~ )

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申込み期間 2021/04/12  ~ 2021/05/26
主催会社 サイエンス&テクノロジー株式会社
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定員 30名
受講料 55,000円
開講場所 Live配信セミナー 
※会社・自宅にいながら受講可能です※ 

講師
岩室 憲幸 氏 講師写真

岩室 憲幸 氏

筑波大学 数理物質系 教授 

カリキュラム、
プログラム
1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに?
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか?
 1.5 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1.6 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーデバイス(Si-IGBT)の進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2.2 IGBT開発のポイント
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに?
 2.7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 なぜSiCパワーデバイスなのか
 3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
 3.5 SiCウェハができるまで
 3.6 SiC-SBDそしてSiC-MOSFET開発へ
 3.7 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3.8 SiC-MOSFET最近のトピックス
 3.9 SiCのデバイスプロセス(Siパワーデバイスと何が違うのか)
 3.10 SiCデバイス信頼性向上のポイント
 3.11 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.12 ショットキーバリアダイオード(SBD)内蔵SiC-MOSFET 

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
 4.5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 GaNパワーデバイスの弱点はなにか
 4.9 縦型GaNデバイスの最新動向
 4.10 縦型SiCデバイス 対 縦型GaNデバイス。勝ち筋はどちらに?

5.SiCパワーデバイス高温対応実装技術
 5.1 高温動作ができると何がいいのか
 5.2 SiC-MOSFETモジュール用パッケージ
 5.3 パワーモジュール動作中の素子破壊例
 5.4 SiCモジュールに必要な実装技術

6.まとめ

  □質疑応答□


配布資料
PDFデータ(印刷可/編集は不可)
※PDFデータは、セミナー開催日の2日前を目安にマイページからダウンロード可能になります。
特典 テレワーク応援キャンペーン(1名受講)【Live配信/WEBセミナー受講限定】
1名申込みの場合:
受講料( 定価:49,500円/E-Mail案内登録価格 46,970円 )
49,500円 ( E-Mail案内登録価格 46,970円 ) 
 定価:本体45,000円+税4,500円
 E-Mail案内登録価格:本体42,700円+税4,270円
※1名様でLive配信/WEBセミナーを受講する場合、上記特別価格になります。
※お申込みフォームで【テレワーク応援キャンペーン】を選択のうえお申込みください。
※他の割引は併用できません。

セミナー参加費
支払い方法
 ○ お支払方法

  オンラインセミナーは銀行振込みのみです。

  会場受講できるセミナーは当日現金でも承ります。



 ○ キャンセルについて

  お申込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご受講も可能です。

  やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定にて承ります。

  その他、申込み要領は下記をご参照ください。

  https://www.science-t.com/seminarentryguide/
お知らせ ※各種割引特典がございます。

【2名同時申込みで1名分無料(1名あたり定価半額の27,500円)】
  ※2名様ともS&T会員登録をしていただいた場合に限ります。
  ※同一法人内による2名同時申込みのみ適用いたします。
  ※3名様以上のお申込みの場合、上記1名あたりの金額で受講できます。
  ※受講券、請求書は、代表者にご郵送いたします。
  ※請求書および領収書は1名様ごとに発行可能です。
    (申込みフォームの通信欄に「請求書1名ごと発行」と記入ください。)
  ※他の割引は併用できません。

【アカデミー割引】
学生・教員および医療従事者は、1名につき11,000円/日
 (※他の割引との併用はできません。)

【お申込み時の注意】
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追って、お申込み完了メールをお送り致しますので、こちらの到着をもって
正式に手続き完了となります。
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