プラズマを用いたワイドギャップ半導体基板の研磨技術【LIVE配信】

株式会社R&D支援センター山村和也氏 49,500円

★プラズマ援用研磨法の原理からワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドの研磨事例まで短時間で学習できます！

パワーデバイス用の単結晶SiC、GaN、ヒートスプレッダや耐摩耗性コーティング用のダイヤモンド等の硬脆機能材料の仕上げ加工には、無歪かつ高能率な研磨能力が要求されます。しかしながら、これらの難加工材料に対して従来の工具と材料の硬度差を利用する物理的な機械加工法を適用すると脆性破壊や塑性変形現象を利用するため、加工面には必然的にダメージが導入され、基板が本来有する優れた物理・化学的性質を維持できません。また、化学機械研磨（CMP）ではダメージは導入されないものの、研磨レートが低い、薬液を含むスラリーを用いるため環境負荷が大きい、といった問題を有します。

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

習得できる知識

・プラズマを用いた高能率ダメージフリー研磨技術

セミナーの対象者はこんな方です

・材料メーカー、パワーデバイスメーカー、ダイヤモンド成膜メーカー、工具メーカー

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2023/09/25 (月) 13:00～ 16:30

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申込み期間

～ 2023/09/22

主催会社

株式会社R&D支援センター

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定員

30名

受講料

49,500円

開講場所

本セミナーはZOOMを使ったLIVE配信セミナーです
【WEB限定セミナー】 ※会社やご自宅でご受講下さい。　

講師

山村和也氏: 大阪大学　大学院工学研究科附属精密工学研究センター　教授　博士（工学）

1.平成29 (2017) 年8月　大阪大学　教授（大学院工学研究科）
2.平成13 (2001) 年8月　大阪大学　助教授（大学院工学研究科）
3.平成13 (2001) 年1月　論文博士（工学）（大阪大学）
4.平成03 (1991) 年4月　大阪大学助手（工学部）
5.平成03 (1991) 年3月　大阪大学大学院工学研究科精密工学専攻　博士前期課程　修了
6.平成元 (1989) 年3月　大阪大学工学部精密工学科　卒業

カリキュラム、
プログラム

これらの問題を解決するために、プラズマを用いて難加工材料の表面を改質し、軟質砥粒を用いて軟質な改質膜を除去するプラズマ援用研磨法（PAP: Plasma-assisted Polishing）が開発されました。本手法を適用するとワイドギャップ半導体材料やダイヤモンドを極めて高能率かつダメージフリーに研磨でき、サブナノメータオーダの表面粗さが得られます。

本セミナーでは、プラズマ援用研磨法の原理とその応用例を紹介します。

プログラム

1．プラズマの物理

2．加工原理

3．研磨事例の紹介
　3-1．4H-SiC（0001）
　3-2．GaN（0001）
　3-3．単結晶ダイヤモンド
　3-4．多結晶ダイヤモンド
　3-5．AlN焼結基板

【Zoomを使ったWEB配信セミナー受講の手順】

１．Zoomを使用されたことがない方は、ミーティング用Zoomクライアントをダウンロードして下さい。ダウンロードできない方はブラウザ版でも受講可能です。

２．セミナー前日までに必ず動作確認をお願いします。セミナー開始直前のトラブルについては対応いたしかねますのでご了承下さい。

３．開催日の数日前にWEBセミナーへの招待メールをお送りいたします。当日のセミナー開始10分前までに招待メールに記載されている視聴用URLよりWEB配信セミナーにご参加下さい。

セミナー参加費
支払い方法

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銀行振込みの場合、原則的に領収書は発行いたしません。

領収書をご希望の場合は、当日会場で受講料をお支払いください。

クレジットカードはご利用いただけません。

お知らせ

・資料付

・セミナー資料は事前にPDFでお送りします。

・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。

・キャンセルについて
原則としてキャンセルはお受けいたしかねます。
ご都合により出席できなくなった場合は代理の方がご出席ください。

代理の方が見つけられない場合、セミナー開催日より、
営業日で8日前までに限りキャンセルを承ります。
8日を過ぎますと欠席扱いとし、受講料の全額をお支払いいただきます。
ご欠席の場合は後日、セミナーで使用したテキストをお送りいたします。