研磨・CMPプロセスの高効率化と評価技術

株式会社　技術情報協会加藤智久氏 &nbs... 60,500円

★ 高品質、高効率なプロセスを設計するには？大口径化への対応技術を詳解！

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
・固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術
・原子間力顕微鏡（AFM）の測定原理と表面解析応用例。
・３次元白色干渉計の測定原理と表面解析応用例。
・およびAFMを用いたナノスケール分光分析の基礎と測定例（欠陥、異物）

セミナーの対象者はこんな方です

・SiCウエハメーカー
・パワーデバイスメーカー
・CMP加工前後における表面形状・粗さ・異物解析を目的とされる方。これらか評価装置を学習し将来導入を目指す方

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2023/10/10 (火) 10:30～ 16:15 （受付 10:00 ～ )

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申込み期間

2023/08/01 ～ 2023/10/09

主催会社

株式会社　技術情報協会

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定員

定員数の上限はございません

受講料

60,500円 (税込／各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

Zoomを利用したLive配信
※会場での講義は行いません。　

講師

加藤智久氏: (国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)

山村和也氏: 大阪大学　大学院工学研究科　物理学系専攻　教授　博士（工学）

鈴木操氏: ブルカージャパン(株)　ナノ表面計測事業部　アプリケーション部　アプリケーションマネジャー

カリキュラム、
プログラム

＜１０：３０～１２：００＞

１．SiCパワー半導体の開発動向とウェハの研磨、CMP工程の技術動向

(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤智久氏
　

【講座概要】
高出力で低損失な電力制御システムにSiCパワー半導体が普及始めており、今後のカーボンニュートラル社会には必要な技術分野として産業化加速が見込まれる。本セミナーではSiCウェハ加工工程の技術開発動向について解説し、高品質かつ低コストなウェハを実現する製造技術について議論する。

1.SiCパワー半導体の開発動向とSiCウェハ開発

2.SiCウェハ加工技術
　2.1 SiCウェハ加工工程と技術課題
　2.2 SiC単結晶の切断技術
　2.3 切断工程の高速化技術
　2.4 切断工程の課題と新しい切断技術
　2.5 SiCウェハの研削加工
　2.6 研削加工の高速・鏡面化技術
　2.7 研削工程の課題と新しい研削加工技術
　2.8 SiCウェハの研磨加工
　2.9 研磨加工と研削加工の特徴や違い
　2.10 研磨工程の課題と新しい研削加工技術
　2.11 SiCウェハのCMP加工
　2.12 CMPの高速化技術
　2.13 CMP工程の課題と新しいCMP加工技術
　2.14 加工が及ぼすSiCウェハ表面の加工変質層とその特徴
　2.15 加工変質層の評価技術
　2.16 加工変質層の抑制技術
　2.17 SiCウェハ加工における大口径化対応の技術課題
　2.18 大口径化対応へ向けた解決策の検討

【質疑応答】

＜１３：００～１４：３０＞

２．固定砥粒定盤を用いた電気化学機械研磨によるSiCのスラリーレス高能率ダメージフリー研磨

大阪大学　大学院工学研究科　物理学系専攻　教授　博士（工学）　山村和也氏
　

【講座概要】
SiCウエハは高性能な省電力パワーデバイス作製用基板としてますますその需要が高まっており、高能率かつ低コストでウエハを作製する加工技術が求められている。現状のSiCウエハ製造工程は結晶成長、スライシング、ラッピング、ポリシング等の多数の工程から構成されているが、その中でもポリシングは化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing: CMP）により行われている。CMPは高価で環境負荷が大きなスラリーを用いており、また、研磨レートが小さいことが問題となっている。本講座では、スラリーを用いずに陽極酸化による表面改質と固定砥粒定盤による改質膜の除去を複合し、平坦化と平滑化を一貫して行うことで高能率かつダメージフリーにSiCウエハを加工する新しいプロセスの原理と加工特性を紹介する。

1.電気化学機械研磨（Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP）の原理
　1.1 研究開発の背景
　1.2 陽極酸化によるSiC表面の改質
　1.3 SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
　1.4 固定砥粒定盤を用いたECMP装置

2.ECMPによる4H-SiCウエハの加工特性
　2.1 表面ダメージと酸化レートの相関
　2.2 電流密度と酸化レートの相関
　2.3 表面歪みと酸化レートの相関
　2.4 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性

3.まとめ

【質疑応答】

＜１４：４５～１６：１５＞

３．CMPの測定、表面解析技術

ブルカージャパン(株)　ナノ表面計測事業部　アプリケーション部　アプリケーションマネジャー　鈴木操氏
　

【講座概要】
研磨後の平滑平面に対するナノスケール表面解析方法を紹介します。試料表面状態を解析するための各種測定機器の基礎を解説し、目的に合わせた装置の選び方および適切な測定手法について理解を深める。

1.原子間力顕微鏡
　1.1 原子間力顕微鏡の基礎と測定モード
　1.2 測定精度とイメージ品質
　1.3 プローブ（探針）の選択方法
　1.4 イメージの質と探針の関係性
　1.5 測定例の紹介

2.３次元白色光干渉型顕微鏡
　2.1 ３次元白色光干渉型顕微鏡の基礎
　2.2 CMPサンプルへの応用例

3.AFM-IR（ナノスケール赤外分光技術）
　3.1 AFM-IRの基礎と測定原理
　3.2 AFM-IRの適用分野
　3.3 半導体デバイスの測定事例

【質疑応答】

特典

セミナー資料付
各講で最後に質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、「アカデミック価格」33,000円/1名（税込）でご参加いただけます。（2名同時申込割引は適用されません）

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など，状況により中止させて頂く事が御座います。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は印刷物を郵送いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。