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開催日 2024/01/17 (水) 開催地 WEB配信型ライブセミナー

~シリコンIGBT、SiC、GaN、酸化ガリウム~

EVシフトに伴うパワーデバイスの最新開発状況と今後の動向、課題【Live配信セミナー】

主催 株式会社 技術情報協会 講師 岩室 憲幸 氏 受講料 55,000円   

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★SiC、GaNはいつ本格採用されるのか?最新の開発状況から今後の行方を探る!

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

1.パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向
2.シリコンMOSFGETならびにシリコンIGBTの強み
3.SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題
4.パワー半導体デバイス全体ならびにSiC/GaN市場予測
5,シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術
6.SiC/GaNパワーデバイス特有の設計ならびにプロセス技術
7.酸化ガリウムパワー半導体の特徴と課題
など
開催日時 2024/01/17 (水)     10:30~ 16:30    

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申込み期間  ~ 2024/01/16
主催会社 株式会社 技術情報協会
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定員 30名
受講料 55,000円 (税込/各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください)
開講場所 ZOOMを利用したLive配信
※会場での講義は行いません 

講師
岩室 憲幸 氏 講師写真

岩室 憲幸 氏

筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授

カリキュラム、
プログラム
2023年、世界各国は自動車の電動化(xEV)開発に向け大きく進展している。そして2030年代には日、米、欧、中がガソリン車の新車販売を禁止するなど、xEVはもはや大きな潮流となった感がある。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。しかしながら現状では、シリコンIGBTがxEV用途の主役に君臨しており、今後しばらくはシリコンIGBTの時代が続くともいわれている。これはとりもなおさず、SiC/GaNデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaNならびに酸化ガリウムパワーデバイス開発技術の現状と今後の動向について、半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。

1.パワーエレクトロニクス(パワエレ)とはなに
 1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
 1.2 パワー半導体の種類と基本構造
 1.3 パワーデバイスの適用分野
 1.4 最近のトピックスから
 1.5 新パワーデバイス開発の位置づけ
 1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
 1.7 パワーデバイス開発のポイント

2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
 2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
 2.2 MOSFET特性改善を支える技術
 2.3 IGBT特性改善を支える技術
 2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
 2.5 IGBT特性改善の次の一手
 2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
 2.7 シリコンIGBTの実装技術

3.SiCパワーデバイスの現状と課題
 3.1 半導体デバイス材料の変遷
 3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは?
 3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
 3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか?
 3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
 3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
 3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
 3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
 3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは?
 3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術

4.GaNパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか?
 4.2 GaNデバイスの構造
 4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
 4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は?
 4.5 ノーマリ-オフ・ノーマリーオン特性とはなに?
 4.6 GaN-HEMTのノーマリ-オフ化
 4.7 GaN-HEMTの課題
 4.8 縦型GaNデバイスの最新動向

5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
 5.1 酸化ガリウムの特徴は何
 5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況

6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
 6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
 6.2 配線のインダクタンスを低減したパッケージ
 6.3 接合材について
 6.4 銀または銅焼結接合技術
 6.5 SiC-MOSFETモジュール技術

7.まとめ
特典 セミナー資料付、質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法
1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。
お知らせ ●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円(税込)割引いたします。
2. 大学(教員、学生)、公的機関、医療機関の方は、アカデミック価格33,000円/1名(税込)でご参加できます。(2名同時申込割引は適用されません)
割引適用の場合は、お申し込み後、弊社より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・ 開催日前に、視聴用URLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・ セミナー配布資料は郵送いたします。お申込みが直前の場合、資料の到着が間に合わないことがあります。
・ 本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・ 本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。
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