プラズマＣＶＤ（化学気相堆積）装置による高品質薄膜の成膜技術、及び量産化対応

サイエンス＆テクノロジー株式会社金尾寛人　氏 35,200円

■装置メーカーの立場から、プラズマCVD装置の技術／課題と対策を解説■

★ 30年以上の実績・経験がある装置メーカーから、実務レベルで解説いたします！

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このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策について知ることができます。

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2023/05/30 (火) 13:00～ 16:30 （受付 12:50 ～ )

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申込み期間

～ 2023/05/29

主催会社

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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定員

30名

受講料

35,200円 (主催会社からのE-Mail定期配信をご希望頂くと更に割引となります）

開講場所

・会場名：　本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
・住所：　 ※会社・自宅にいながら受講可能です※　
・交通アクセス：　

講師

金尾寛人　氏: 【経歴・研究内容・専門・活動】
1989年3月　名古屋工業大学工学部第一部電気情報工学科を卒業．
1989年4月　住友金属工業(株)に入社．
Si基板上GaAs膜のヘテロエピタキシー成膜技術の研究開発(1年)や半導体デバイス向けECRプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(10年)
2000年4月　住友精密工業(株)に入社(派遣、2002年3月転籍、2011年12月にSPPテクノロジーズに出向)
MEMSや光デバイス向けプラズマ装置による成膜、エッチング技術の研究開発及び商品開発(3年半)
装置全般の技術営業、マーケティング（現在）

カリキュラム、
プログラム

【セミナー趣旨】
　当社は、1989年から「研究開発用半導体一貫製造システム」の開発を開始して、装置メーカーとして、30年以上の実績・経験があります。この講演では、プラズマCVD装置に関して、開発してきた技術や課題と対策を中心にご紹介いたします。

【セミナー講演内容】
１．プラズマCVD装置の基本構造
　1.1 プラズマCVD装置の構成
　1.2 反応チャンバーの基本構成

２．プラズマCVD装置の用途
　2.1 適用アプリケーション

３．プラズマCVD装置のプロセス性能
　3.1 SiH4系SiO2膜
　3.2 SiH4系SiN膜
　3.3 SiH4系SiON膜
　3.4 SiH4系a-Si膜
　3.5 SiH4系SiC膜
　3.6 TEOS系SiO2膜
　3.7 液体ソース系SiN膜

４．開発用装置と量産用装置
　4.1 プラットフォーム

５．プラズマCVD装置の課題と対策
　5.1 高レート化
　5.2 プロセスの再現性
　5.3 低パーティクル
　5.4 チャンバークリーニング
　5.5 ウェーハ温度の低温化
　5.6 ウェーハ大口径化　　など

　　□質疑応答□

セミナー参加費
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やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定にて承ります。

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https://www.science-t.com/sem

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