ダイヤモンド半導体デバイスの基礎知識とそのポテンシャル、今後の課題

サイエンス＆テクノロジー株式会社嘉数誠　氏 35,200円

SiC、GaNを超えるワイドギャップ・大電力・高効率を持ち、注目を集めるダイヤモンド半導体
近年では、大口径化やドーピング技術など基盤技術が開発され、実用化が近づいてきています。
ダイヤモンドの結晶成長の技術からダイヤモンド半導体デバイス作製技術まで
基礎知識から最新の研究動向までわかりやすく解説致します！

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【配布資料】
製本テキスト(開催前日着までを目安に発送)
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このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・ダイヤモンド半導体の物性
・パワー半導体デバイスの原理
・ダイヤモンドの結晶成長
・ダイヤモンド半導体デバイスの原理、特性
・実用回路の中のダイヤモンド半導体デバイス

セミナーの対象者はこんな方です

初心者の方や半導体以外の分野の方にもわかるように、基礎的なところから、丁寧なご説明を心がけます。

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2023/05/30 (火) 13:00～ 16:30 （受付 12:50 ～ )

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申込み期間

～ 2023/05/29

主催会社

サイエンス＆テクノロジー株式会社

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定員

30名

受講料

35,200円 (主催会社からのE-Mail定期配信をご希望頂くと更に割引となります）

開講場所

・会場名：　本セミナーはビデオ会議ツール「Zoom」を使ったライブ配信セミナーとなります。
・住所：　 ※会社・自宅にいながら受講可能です※　
・交通アクセス：　

講師

嘉数誠　氏: 【略歴】
1990年京都大学大学院工学研究科博士課程修了後、NTT物性基礎研究所入所、2010年佐賀大学着任（現在に至る）。
2002-2003年ドイツ・ウルム大学客員研究員、2007年パリ大学（第13）招聘教授
【専門】
半導体工学

カリキュラム、
プログラム

【セミナー趣旨】
　近年、SiC（シリコンカーバイド）やGaN(窒化ガリウム)といったワイドギャップ半導体の研究開発が盛んにおこなわれていますが、ダイヤモンド半導体は、これらの半導体より、さらにワイドギャップで、大電力、高効率パワー半導体への応用が期待されています。
　ダイヤモンド半導体の研究は30年以上の長い歴史がありますが、最近、大口径ウェハやドーピングといった半導体の基盤技術が開発され、実用化が現実的になってきました。セミナーでは、基礎から上記のような最近の成果まで、わかりやすく解説いたします。

【講演内容】
１．ダイヤモンド半導体の社会からの期待
　1.1 ダイヤモンドの物性の特徴
　1.2 様々なダイヤモンド半導体デバイス

２．ダイヤモンド結晶成長技術
　2.1 ダイヤモンド結晶成長の基礎
　2.2 ダイヤモンドCVD成長技術
　2.3 ダイヤモンドヘテロエピタキシャル成長技術
　2.4 なぜサファイア基板を用いるか　
　2.5 ダイヤモンド結晶成長機構の最近の成果
　2.6 今後の課題　

３．ダイヤモンド半導体デバイス作製技術
　3.1 パワー半導体デバイスの原理
　3.2 ダイヤモンドのドーピング技術
　3.3 ダイヤモンドの絶縁膜堆積技術
　3.4 ダイヤモンドFET作製方法
　3.5 ダイヤモンドFETの新構造、選択ドーピング構造
　3.6 ダイヤモンドFETのパワー特性
　3.7 ダイヤモンドFETの高周波特性
　3.8 ダイヤモンドFETのスイッチング特性
　3.9 ダイヤモンドFETの長時間ストレス特性
　3.10 今後の課題

４．将来の展望

５．まとめ

　　□ 質疑応答 □

セミナー参加費
支払い方法

　○ お支払方法

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会場受講の場合に限り、会場で現金またはクレジットカードでのお支払いが可能です。

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お申込み後、ご都合が悪くなった場合は代理の方のご受講も可能です。

やむなくキャンセルされる場合は、下記のキャンセル規定にて承ります。

その他、申込み要領は下記をご参照ください。

https://www.science-t.com/sem

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【テレワーク応援キャンペーン】
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　１名あたり定価”44,000円の半額”22,000円（税込）
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　※3名様以上のお申込みの場合、上記１名あたりの金額で受講できます。

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