ウルトラワイドギャップ半導体，次々世代パワー半導体の設計開発，材料素材，今後の展望

株式会社　技術情報協会岩室憲幸氏他 60,500円

★不純物や欠陥を制御し，高品質の単結晶を得るには？
★硬度の高い物質の加工生産性は？
★高電力密度，過酷環境下での「耐熱性」，「電気的安定性」は？
★国内外の研究開発の動き

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/11/13 (水) 10:30～ 16:30 （受付 10:00 ～ )

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申込み期間

～ 2024/11/05

主催会社

株式会社　技術情報協会

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定員

定員数の上限はございません

受講料

60,500円 (税込／各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

・会場名：　Zoomを利用したLive配信
・住所：　※会場での講義は行いません。　
・交通アクセス：　

講師

岩室憲幸氏（イワムロノリユキ）: 筑波大学数理物質系物理工学域教授博士(工学)

植田研二氏（ウエダケンジ）: 早稲田大学大学院情報生産システム研究科博士(理学)

西中浩之氏（ニシナカヒロユキ）: 京都工芸繊維大学電気電子工学系准教授博士(工学)

カリキュラム、
プログラム

【１０：３０～１２：３０】
第１部ウルトラワイドギャップパワー半導体デバイス開発への期待

●講師　筑波大学数理物質系物理工学域教授博士(工学)　岩室憲幸氏
　
【講座の趣旨】
　自動車電動化支える基幹部品であるパワー半導体デバイスにおいて，新材料SiCデバイスの普及が大いに期待されているが，現状ではシリコンデバイスが依然として主役に君臨している。これは，SiCデバイスの性能，信頼性，さらには価格が市場の要求に十分応えられていないことによる。このように新材料パワー半導体のトップランナーを走っているSiCでも，その普及には大きな困難が立ちはだかる。次々世代半導体材料であるウルトラワイドバンドキャップ半導体材料は，その性能の高さから非常に大きな期待がかかっている。本講演では，筆者のSiCパワー半導体デバイスの研究開発の経験から，ウルトラワイドバンドギャップパワー半導体への期待ならびに今から考えておくべき課題についてわかりやすく解説する。　　　　

【セミナープログラム】
１．パワーエレクトロニクス（パワエレ）とは何か？
　　1.1 パワー半導体デバイスの種類と基本構造
　　1.2 パワー半導体デバイス開発のポイント

２．シリコンならびにSiCパワー半導体デバイスの現状と課題
　　2.1 シリコン/SiCパワー半導体デバイスの現状
　　2.2 なぜSiCパワー半導体デバイスが新材料パワーデバイスでトップランナーなのか
　　2.3 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜ？

３．シリコン，SiCパワー半導体デバイス研究開発の経験を基にしたウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイスへの期待
　　3.1 酸化ガリウムパワー半導体デバイスの特徴
　　3.2 ウルトラワイドバンドギャップ半導体デバイスへの期待

４．まとめ

【質疑応答】

－－－－－－－－－－－－－－－－

【１３：１５～１４：４５】
第２部ダイヤモンド半導体パワーデバイス開発の現状と展望

●講師　早稲田大学大学院情報生産システム研究科博士(理学)　植田研二氏
　
【講座の趣旨】
　本講座では次々世代パワーデバイスとして近年注目されているダイヤモンド半導体パワーデバイスに関して，基礎から応用，今後の展望まで幅広く解説する。　　　　

【セミナープログラム】
１．ダイヤモンド半導体の基本特性
　　1.1 物理特性
　　1.2 ドーピング
　　1.3 終端面制御（水素，酸素，Si終端）

２．ダイヤモンド半導体結晶成長
　　2.1 プラズマCVD成長
　　2.2 ヘテロエピタキシャル成長
　　2.3 大面積基板作製

３．ダイヤモンド半導体パワーデバイス
　　3.1 デバイス作製技術
　　3.2 横型パワーデバイスと高周波パワー応用
　　3.3 縦型パワーデバイス
　　3.4 極限環境下パワーデバイス（対高温，対放射線）

４．まとめと将来展望

【質疑応答】

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【１５：００～１６：３０】
第３部酸化ガリウムとウルトラワイドバンドギャップ半導体への可能性

●講師　京都工芸繊維大学電気電子工学系准教授博士(工学)　西中浩之氏
　
【セミナープログラム】
１．酸化ガリウムの基礎物性
　　1.1 酸化ガリウムのデバイス構造からみた開発のポイント
　　1.2 酸化ガリウムの結晶多形

２．酸化ガリウムの結晶成長・薄膜形成
　　2.1 結晶成長・薄膜形成方法
　　2.2 酸化ガリウムで用いられる結晶成長・薄膜形成方法

３．酸化ガリウムの不純物，混晶化技術
　　3.1 不純物添加
　　3.2 混晶化

４．まとめと展望

【質疑応答】

特典

セミナー資料付
各講で最後に質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、「アカデミック価格」33,000円/1名（税込）でご参加いただけます。（2名同時申込割引は適用されません）

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など，状況により中止させて頂く事が御座います。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
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・セミナー配布資料は印刷物を郵送いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
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