SiCウェハの研磨技術と高速化、低ダメージ化

株式会社　技術情報協会加藤智久氏他 66,000円

★ 効率的な研磨に向けた研磨液、パッド、スラリーや、加工技術の動向を徹底解説！

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

・半導体用SiCウェハ加工技術の知識。
・SiCウェハ加工技術の開発動向や技術課題
・電気化学機械研磨によるスラリーを用いない新しいSiCウエハの高能率ダメージフリー研磨技術
・固定砥粒定盤を用いたSiCウエハの平坦化と平滑化を両立する研磨技術

セミナーの対象者はこんな方です

・SiCウエハメーカー
・パワーデバイスメーカー
・SiCウェハの開発動向、加工技術開発に興味のある方

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2025/01/15 (水) 10:30～ 16:30 （受付 10:00 ～ )

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

2024/11/01 ～ 2025/01/14

主催会社

株式会社　技術情報協会

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定員

定員数の上限はございません

受講料

66,000円 (税込／各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

・会場名：　Zoomを利用したLive配信
・住所：　※会場での講義は行いません。　
・交通アクセス：　

講師

加藤智久氏（カトウトモヒサ）: （国研）産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士（工学）

佐藤誠氏（サトウマコト）: ノリタケ(株)　研究開発センター　1グループ　1チーム　博士(工学)

山村和也氏（ヤマムラカズヤ）: 大阪大学　大学院工学研究科附属精密工学研究センター　栄誉教授　博士（工学）

鈴木恵友氏（スズキケイスケ）: 九州工業大学　情報工学研究院　知的システム工学研究系　教授　博士(材料科学)

カリキュラム、
プログラム

＜１０：３０～１２：００＞

１．大口径SiCウェハ研磨の高速化技術

（国研）産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士（工学）　加藤智久氏

1.SiCパワー半導体の社会実装とウェハ技術の動向
　1.1 SiCパワー半導体の特徴と効果
　1.2 SiCウェハ技術開発とその動向
　1.3 SiCウェハ技術の現状と課題
　1.4 国内におけるSiCウェハ技術開発と目的

2.SiCウェハの平坦化加工技術
　2.1 SiウェハとSiCウェハの加工技術の比較
　2.2 大口径SiCウェハの高速加工における先行技術と応用
　　2.2.1 高速研削加工
　　2.2.2 高精度研削加工のデバイス技術応用
　2.3 大口径SiCウェハの高速研磨加工と応用
　　2.3.1　鏡面研磨領域の大口径化対応と高速化
　2.4 大口径SiCウェハのCMP
　　2.4.1 酸化剤によるCMPの能率改善と潜傷抑制
　　2.4.2 CMPのデバイス技術応用
　　2.4.3 新しい高速酸化援用加工

3.おわりに

【質疑応答】

＜１３：００～１４：００＞

２．砥粒内包研磨パッドによるSiC単結晶の研磨

ノリタケ(株)　研究開発センター　1グループ　1チーム　博士(工学)　佐藤誠氏

1.SiC単結晶の研磨（CMP）に求められるもの

2.SiC単結晶の高能率研磨
　2.1 SiC単結晶研磨の高能率化の試み
　2.2 過マンガン酸カリウム援用によるSiC単結晶の研磨

3.砥粒内包研磨パッドのSiC単結晶の研磨への適用
　3.1 砥粒内包研磨パッドとは？
　3.2 砥粒内包研磨パッドによる過マンガン酸カリウム援用研磨
　3.3 SiC単結晶のさらなる高能率化

4.過マンガン酸カリウム援用研磨のメカニズムについて

5.まとめ

【質疑応答】

＜１４：１５～１５：１５＞

３．スラリーレス電気化学機械研磨によるSiC ウエハの高能率ダメージフリー加工

大阪大学　大学院工学研究科附属精密工学研究センター　栄誉教授　博士（工学）　山村和也氏

1.電気化学機械研磨（Electrochemical Mechanical Polishing: ECMP）の原理
　1.1 研究開発の背景
　1.2 陽極酸化によるSiC表面の改質
　1.3 SiCの陽極酸化特性と酸化膜の物性
　1.4 固定砥粒定盤を用いたECMP装置

2.ECMPによる4H-SiCウエハの加工特性
　2.1 表面ダメージと酸化レートの相関
　2.2 電流密度と酸化レートの相関
　2.3 表面歪みと酸化レートの相関
　2.4 3段階ECMPプロセスによる4インチスライスウエハの研磨特性

3.まとめ

【質疑応答】

＜１５：３０～１６：３０＞

４．水酸化フラーレンを用いたSiCウェハの高効率研磨

九州工業大学　情報工学研究院　知的システム工学研究系　教授　博士(材料科学)　鈴木恵友氏
　

1.SiC加工の課題

2.フラーレンの特徴と新規研磨材の開発
　2.1 フラーレン複合微粒子の作製
　2.2 フラーレン複合型スマート研磨微粒子の開発コンセプト

3.水酸化フラーレンによるSiC研磨の表面の平滑化

【質疑応答】

特典

セミナー資料付
各講で最後に質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、「アカデミック価格」33,000円/1名（税込）でご参加いただけます。（2名同時申込割引は適用されません）

※申し込み人数が開催人数に満たない場合など，状況により中止させて頂く事が御座います。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は印刷物を郵送いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。