ドライエッチングのメカニズムと先端ロジックデバイスのエッチング技術【Live配信セミナー】

株式会社　技術情報協会伊澤勝氏 49,500円

★エッチング速度、形状のメカニズムとその制御手法
★FinFET、GAA、ポストスケーリング時代へ向けた最新エッチング技術

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

１）エッチング速度のメカニズム
２）エッチング形状のメカニズムとそのハード、プロセス制御応用
３）先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
４）横方向のドライエッチング技術

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/03/08 (金) 13:00～ 16:30

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

～ 2024/03/07

主催会社

株式会社　技術情報協会

この主催会社の他の最新セミナーを見る

定員

30名

受講料

49,500円 (税込／各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

ZOOMを利用したLive配信
※会場での講義は行いません　

講師

伊澤勝氏: (株)日立ハイテク　ナノテクノロジーソリューション事業統括本部　主管技師長

カリキュラム、
プログラム

半導体デバイスは微細化により大幅に性能を向上することで、高度な情報通信技術などの革新に寄与してきた。ドライエッチング技術はその微細化の一翼を担ってきた技術である。本セミナーでは、ドライエッチング技術について、表面反応モデルをベースにした形状制御の考え方と装置への展開について解説する。さらに、FinFET、GAA(Gate all around)世代およびポストスケーリング世代を見据えた半導体デバイスのエッチング加工についての取組みと横方向の加工技術について解説する。

１．イントロダクション
　1-1 半導体デバイスのトレンドとプロセス

２．ドライエッチング装置
　2-1 プラズマ源とドライエッチング装置

３．ドライエッチングのメカニズム
　3-1 イオンアシスト反応　エッチング速度のモデル式
　3-2 エッチング選択比とガス
　3-3 CDシフト(寸法変動)のメカニズム
　3-4 均一性制御技術：ウエハ温度・ガス分布制御
　3-5 構造起因ゲート寸法ばらつきとAPC応用

４．先端ロジックデバイスにおけるエッチング技術
　4-1 DTCO採用に伴うエッチングの課題
　4-2 Si/SiGe fin etching
　4-3 SAC対応エッチング技術
　4-4 WFM patterning

５．GAA/CFET世代のエッチング技術
　5-1 GAAのエッチング課題とSiGeリセス加工
　5-2 CFETで求められるエッチング加工

６．コンフォーマルドライエッチング技術
　6-1 等方性ドライエッチング技術の概要
　6-2 熱サイクルALE技術と装置
　6-3 プラズマを用いたコンフォーマルALE

７．まとめ

特典

セミナー資料付、質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、アカデミック価格33,000円/1名（税込）でご参加できます。（2名同時申込割引は適用されません）
割引適用の場合は、お申し込み後、弊社より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日前に、視聴用URLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は郵送いたします。お申込みが直前の場合、資料の到着が間に合わないことがあります。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。