半導体ウェハの欠陥制御と検出、評価技術

株式会社　技術情報協会加藤智久氏 &nbs... 60,500円

★ 欠陥とデバイス特性の関係を徹底解説！高品質、大口径化に対応するには？

このセミナーを受講すると、こんなスキルが身につきます

【第1部】
・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、材料評価）の基礎知識
・SiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題に関する情報

【第2部】
SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識と、その評価手法を理解することができる

【第3部】
結晶欠陥評価に関して目的に応じて適切な評価法を選択できる様になることを目的とする

会場

講師

プログラム

特典

お知らせ

開催日時

2024/05/10 (金) 10:45～ 16:00 （受付 10:15 ～ )

他の開催日・開催場所（同じ都道府県内）で探す

申込み期間

2024/03/01 ～ 2024/05/09

主催会社

株式会社　技術情報協会

この主催会社の他の最新セミナーを見る

定員

30名

受講料

60,500円 (各種割引については下段「お知らせ」欄をご参照ください）

開講場所

ZOOMを利用したLive配信
会場での講義は行いません　

講師

加藤智久氏: (国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)

原田俊太氏: 名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)

石川由加里氏: (一財)ファインセラミックスセンター　機能性材料G　特任主幹研究員　博士(工学)

カリキュラム、
プログラム

＜１０：４５～１２：１５＞

１．SiC結晶成長の現状と欠陥制御技術

(国研)産業技術総合研究所　先進パワーエレクトロニクス研究センター　研究チーム長　博士(工学)　加藤智久氏
　

【講座概要】
本セミナーでは技術開発の取り組みに関する背景とトレンドを説明するとともに、結晶欠陥の制御の将来技術について考察を深める機会としたい。

【受講対象】
パワー半導体SiC材料開発に興味のある方、結晶工学・ウェハ材料評価技術に関心のある方

【受講後、習得できること】
・半導体用SiCウェハ製造技術（結晶成長、材料評価）の基礎知識
・SiCウェハ製造技術の開発動向や技術課題に関する情報

1.はじめに　
　1.1 SiCの基礎と物性
　1.2 SiCパワー半導体への応用
　1.3 SiCウェハの材料技術開発の動向と市場の要求

2.SiC単結晶製造技術
　2.1 SiC単結晶の合成・成長方法
　2.2 結晶多形と特徴
　2.3 結晶欠陥と制御
　2.4 大口径結晶の成長と欠陥
　2.5 n/p型の伝導度制御と欠陥

【質疑応答】

＜１３：１５～１４：４５＞

２．SiCウェハの欠陥評価技術

名古屋大学　未来材料・システム研究所　准教授　博士(工学)　原田俊太氏
　

【講演概要】
本講座では、SiC結晶やその欠陥の種類、デバイス特性への影響についてレビューした後、結晶欠陥の評価手法に関して解説を行い、SiCウェハの欠陥評価法の理解を深める。

【受講対象】
半導体結晶に関する基礎的な知識を有し、SiCウェハの結晶欠陥とその評価手法の理解を深めたいと考えられている方

【受講後、習得できること】
SiC結晶欠陥に関する基礎的な知識と、その評価手法を理解することができる

1.SiCパワーデバイスと結晶欠陥

2.SiCの結晶構造と多形

3.結晶欠陥の基礎

4.転位論の基礎

5.SiC結晶欠陥の種類（マイクロパイプ、転位）

6.SiC結晶欠陥の種類（積層欠陥）

7.結晶欠陥とデバイス特性（マイクロパイプ、貫通転位）

8.結晶欠陥とデバイス特性（基底面転位）

9.結晶欠陥とデバイス特性（積層欠陥）

10.結晶欠陥評価法の概要

11.各種結晶欠陥評価法（X線トポグラフィ法）

12.各種結晶欠陥評価法（エッチング）

13.各種結晶欠陥評価法（フォトルミネッセンス法）

14.各種結晶欠陥評価法（偏光顕微鏡法）

15.結晶欠陥のマルチモーダル解析

16.欠陥自動検出アルゴリズム

【質疑応答】

＜１５：００～１６：００＞

３．ワイドバンドギャップ半導体結晶欠陥の非破壊3次元分布評価

(一財)ファインセラミックスセンター　機能性材料G　特任主幹研究員　博士(工学)　石川由加里氏
　

【講座概要】
本講座では転位を主たる対象として、欠陥検出の考え方および各種欠陥評価技術の紹介をした上で結晶欠陥の非破壊3次元分布評価技術として多光子励起顕微鏡、Ｘ線トポグラフィー、電子線誘起電流法を取り上げそれぞれの測定原理とその観察事例をご紹介します。新しい3次元非破壊評価法についても触れる予定です。

【受講対象】
結晶開発、結晶評価、デバイス評価等に従事する方

【受講後、習得できること】
結晶欠陥評価に関して目的に応じて適切な評価法を選択できる様になることを目的とする

1.欠陥評価法について
　1.1 背景
　1.2 欠陥検出方法の分類
　1.3 破壊検出法
　1.4 2次元非破壊検出法

2.多光子励起顕微鏡
　2.1 歴史
　2.2 測定原理
　2.3 SiC結晶中のマイクロパイプや積層欠陥の3次元非破壊評価事例
　2.4 GaN結晶中の転位の3次元非破壊評価事例

3.Ｘ線トポグラフィー
　3.1 測定原理
　3.2 AlN結晶中の転位の非破壊評価事例
　3.3 Ga2O3結晶中の転位の非破壊評価事例

4.電子線誘起電流法
　4.1 測定原理
　4.2 SiCエピ膜中の転位の非破壊評価事例

5.新しい3次元非破壊評価法

【質疑応答】

特典

セミナー資料付、各講最後に質疑応答時間あり。

セミナー参加費
支払い方法

1. 銀行振込または現金書留にてお願いいたします。

2. 原則として開催日までにお願い致します。

3. 銀行振込の場合は、原則として領収証の発行は致しません。

4. 振り込み手数料はご負担ください。

お知らせ

●各種割引について
1. 同一テーマ1社2名以上同時申込の場合のみ、1名につき5,500円（税込）割引いたします。
2. 大学（教員、学生）、公的機関、医療機関の方は、「アカデミック価格」33,000円/1名（税込）でご参加いただけます。（2名同時申込割引は適用されません）
割引適用の場合は、お申し込み後、技術情報協会より確認のご連絡を差し上げます。

●Live配信セミナーの受講について
・ Zoom公式サイトで視聴環境を確認の上、お申し込みください。
・開催日が近くなりましたら、視聴用のURLとパスワードをメールにてご連絡申し上げます。
・セミナー配布資料は印刷物を郵送いたします。
・本講座で使用される資料や配信動画は著作物であり、録音・録画・複写・転載・配布・上映・販売等を禁止いたします。
・本講座はお申し込みいただいた方のみ受講いただけます。複数端末から同時に視聴することや複数人での視聴は禁止いたします。
・ Zoomのグループにパスワードを設定しています。部外者の参加を防ぐため、パスワードを外部に漏洩しないでください。部外者が侵入した場合は管理者側で部外者の退出あるいはセミナーを終了いたします。